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山东天岳IPO申请在即 第三代半导体中国厂商如何逆袭?

章鹰 ? 来源:电竞比赛押注平台原创 ? 作者:章鹰 ? 2021-06-19 09:50 ? 次阅读

最近,国内的第三代半导体公司的火了。两大标志事件接踵而来。

5月31日,华为旗下的哈勃投资参与A轮融资的山东天岳先进科技股份有限公司(以下简称“山东天岳”)提交了科创板IPO申请,根据山东天岳披露的招股说明书(申报稿),公司本次公开发行不超过约4297万股,且发行完成后公开发行股份数占发行后总股数的比例不低于10%。为把握国内碳化硅产业的进一步自主化发展机遇,山东天岳拟在上海临港新片区建设碳化硅衬底生产基地,以提高公司碳化硅衬底的产业化能力。据披露,山东天岳此次拟募集资金20亿元,扣除发行费用后将投资于碳化硅半导体材料项目。

近日,闻泰科技旗下安世半导体宣布,其650V功率GaNFET器件系列的第二代产品开始批量供货。闻泰科技2020年年报显示,公司重金布局第三代半导体技术,2020年全年半导体业务研发投入达6.5亿元,显著加强了在中高压MOSFET、化合物半导体SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)产品、以及模拟类产品的研发投入,并将继续扩大产能和研发相关的设备投入。

新能源汽车和充电桩对碳化硅需求旺盛

第三代半导体主要是指以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料,用于制作高温、高频大功率和抗辐射的电子器件,应用于半导体照明、5G通信,卫星通信、新能源汽车、轨道交通等领域。

以碳化硅、氮化镓为主导的第三代半导体未来的市场走势是怎样的?据中金公司最新研究报告显示,根据测算,2025年中国电动车及快充桩将带来62亿元/78亿元的SiC器件/??榈氖谐】占?,2021年到2025年CAGR分别高达58%和35%。经过测算SiC衬底及外延片价值量合计占比超器件总价值量的60%。2025年中国本土导电型衬底片需求超100万片,行业上游重要性强,需求广阔。

日前,在南京半导体大会的第三代半导体产业发展高峰论坛,第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长于坤山对媒体表示,相比硅器件,碳化硅制成的器件拥有卓越的开关性能、耐压能力及温度稳定性,我国企业目前已经能实现6寸片规模量产,8寸片与海外技术差距正在缩小。SiC的材料特性意味着在未来5年时间内从电控、车载充电机、快充桩等多个应用场景对Si-MOSFET/ Si-IGBT形成规模替代。

山东天岳的优势和面对的市场挑战

山东天岳是国内碳化硅龙头企业之一,掌握了碳化硅半导体材料产业化核心关键技术,为全球第四家可批量供应4H-SiC衬底产品的企业,公司在半绝缘型碳化硅衬底领域已进入行业第一梯队,直接与国外巨头竞争。2020年,公司市场占有率较上年增长12个百分点,位列世界前三。

在碳化硅衬底领域,国内厂商主要有天科合达、山东天岳、中电科2所、同光晶体、神州科技、中科钢研等,在资本的帮助下国内碳化硅衬底扩产迅速:同样被华为投资的天科合达在2020年7月曾提交科创板IPO申请,拟募资扩产12万片6英寸碳化硅晶片,但同年十月其终止了科创板IPO;同光晶体于2020年12月开启了A轮融资,短短5个月,又连续融了B轮、C轮、C+轮、D轮,在资本加持下其4-6英寸碳化硅单晶衬底项目快速上马。

国际上的龙头企业在第三代半导体进行产业链提前布局,包括Cree/ Wolfspeed,Dowcorning、德国的Sicrystal,日本的Showa Denko等国际龙头企业已经开始投资建设8英寸SiC晶片生产线,Cree(科锐)计划在2019-2024年投资7.2亿美元将碳化硅材料及晶圆产能扩充30倍,包括建造一座车规级8英寸功率及射频晶圆工厂,以及扩产超级材料工厂,计划2022年量产。

山东天岳的碳化硅衬底在国内暂时领先,但国外的领先者正在加大力度扩产,国内的追赶者在资本的加持下快速成长。山东天岳在招股书中还有显示大客户集中的问题,其2018-2020年度前五大客户收入占比分别为80.15%、82.94%、89.45%。远超同行业沪硅产业的25.53%以及天科合达的57.46%。大客户集中有利有弊,好处是公司可以因此获得稳定的收入,可以降低销售费用率。但不利的是,大客户集中会导致公司受制于人,因过度依赖大客户而在经营过程中丧失话语权,或者一旦大客户选择其他供应商,公司业绩直接呈现大规模下滑。山东天岳的当务之急是尽快发展更多的客户,特别在新能源汽车和充电桩领域。

据Yole预测,2017-2023年碳化硅应用的复合增长率为27%,其中电动和混动汽车的复合增长率为81%,充电桩/充电站的复合增长率为58%。

赛迪顾问新材料产业研究中心总经理李龙指出,第三代半导体材料已逐渐进入各汽车集团的主流供应链中,SiC衬底作为关键材料,将成为第三代半导体材料的布局热点。

面对激烈的国内外大厂竞争,山东天岳必须夯实基础,据国际权威机构Yole发布的报告,2020年,天岳先进半绝缘碳化硅衬底材料在全球的销量占据30%市场,跃居全球第三。与美国CREE公司、贰陆公司接近,形成了中美企业竞争的格局。天岳先进科创板IPO,拟募资20亿元,将用于碳化硅半导体材料项目,正是对准了国家十四五布局,依托技术,站位上风口,满足新基建不断爆发的市场需求。


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FFSH2065ADN SiC二极管 650V 20A TO-247-3 共阴极

FFSH10120A SiC二极管 1200V 10A TO-247-2

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI以及更小的系统尺寸和成本。 特性 最高结温175°C 最高结温175°C 正温度系数 易于平行 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-04 18:02 ? 228次 阅读
FFSH10120A SiC二极管 1200V 10A TO-247-2

FFSH30120A SiC二极管 1200V 30A TO-247-2

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI以及更小的系统尺寸和成本。 特性 最高结温175°C 正温度系数 易于并行 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-04 17:02 ? 155次 阅读
FFSH30120A SiC二极管 1200V 30A TO-247-2

FFSH2065A SiC二极管 - 650 V 20 A.

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI以及更小的系统尺寸和成本。 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-04 17:02 ? 177次 阅读
FFSH2065A SiC二极管 -  650 V 20 A.

FFSH1665ADN SiC二极管 650V 16A TO-247-3 共阴极

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI以及更小的系统尺寸和成本。 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-04 16:02 ? 117次 阅读
FFSH1665ADN SiC二极管 650V 16A TO-247-3 共阴极

FFSD0665A SiC二极管 - 650V 6A DPAK

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系统尺寸和成本。 Llew 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-04 16:02 ? 107次 阅读
FFSD0665A SiC二极管 -  650V 6A DPAK

FFSD0865A SiC二极管 - 650V 8A DPAK

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系统尺寸和成本。 Llew 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-04 16:02 ? 168次 阅读
FFSD0865A SiC二极管 -  650V 8A DPAK

FFSD0465A SiC二极管 - 650V 4A DPAK

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系统尺寸和成本。 Llew 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-04 15:02 ? 79次 阅读
FFSD0465A SiC二极管 -  650V 4A DPAK

FFSB10120A SiC二极管 1200V 10A D2PAK

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,与硅相比,可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。没有反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及降低的系统尺寸和成本。 特性 最高结温175°C 雪崩额定200 mJ 无逆向恢复/无正向恢复 易于并行 高浪涌电流容量 正温度系数 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-04 15:02 ? 102次 阅读
FFSB10120A SiC二极管 1200V 10A D2PAK

FFSB20120A SiC二极管 1200V 20A D2PAK

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,与硅相比,可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。没有反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及降低的系统尺寸和成本。 特性 最高结温175°C 雪崩额定200 mJ 高浪涌电流容量 正温度系数 易于平行 无逆向恢复/无正向恢复 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-04 15:02 ? 86次 阅读
FFSB20120A SiC二极管 1200V 20A D2PAK

FFSD1065A SiC二极管 - 650V 10A DPAK

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系统尺寸和成本。 Llew 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-04 14:02 ? 82次 阅读
FFSD1065A SiC二极管 -  650V 10A DPAK

FFSH1665A SiC二极管 - 650 V 16 A.

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI以及更小的系统尺寸和成本。 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-04 14:02 ? 118次 阅读
FFSH1665A SiC二极管 -  650 V 16 A.

FFSB1065A SiC二极管 - 650V 10A D2PAK

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系统尺寸和成本。 Llew 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-04 14:02 ? 122次 阅读
FFSB1065A SiC二极管 -  650V 10A D2PAK

FFSB0465A SiC二极管 - 650V 4A D2PAK

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系统尺寸和成本。 Llew 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-04 13:02 ? 74次 阅读
FFSB0465A SiC二极管 -  650V 4A D2PAK

FFSB0865A SiC二极管 - 650V 8A D2PAK

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系统尺寸和成本。 Llew 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-04 13:02 ? 85次 阅读
FFSB0865A SiC二极管 -  650V 8A D2PAK

FFSM0465A SiC二极管 - 650V 4A PQFN88

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系统尺寸和成本。 Llew 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-04 12:02 ? 113次 阅读
FFSM0465A SiC二极管 -  650V 4A PQFN88

FFSB1265A SiC二极管 - 650V 12A D2PAK

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系统尺寸和成本。 Llew 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-04 12:02 ? 192次 阅读
FFSB1265A SiC二极管 -  650V 12A D2PAK

FFSB0665A SiC二极管 - 650V 6A D2PAK

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系统尺寸和成本。 Llew 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-04 12:02 ? 129次 阅读
FFSB0665A SiC二极管 -  650V 6A D2PAK

碳化硅深层的特性

碳化硅的颜色,纯净者无色透明,含杂质(碳、硅等)时呈蓝、天蓝、深蓝,浅绿等色,少数呈黄、黑等色。加温至700℃时不褪色。金刚光...
发表于 07-04 04:20 ? 647次 阅读
碳化硅深层的特性
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